INTRODUCTION :
de toutes les grandeurs physiques , la température est
certainement l'une de celles dont la mesure est la plus fréquente . La température
détermine en effet de façon décisive les propriétés de la matière, que ce soit
de façon continue, pression ou volume d'un gaz par exemple, ou de façon
discontinue, changements de phase ou point de curies magnétiques et ferroélectriques.
C'est pourquoi,
en recherche comme dans l'industrie, la mesure précise et le contrôle très
strict des températures sont indispensables.
Cependant,
affecter une valeur numérique à une température pose un problème de fond. En effet,
la plupart des grandeurs physiques peuvent être numériquement définies par leur
rapport à une grandeur de même nature prise pour référence. Ces grandeurs sont
dites extensives car à partir de la référence il est aise, du moins
conceptuellement, de définir des multiples ou des sous-multiples. Cela n'est
pas le cas pour la température qui est une grandeur dite intensive: multiplier
ou diviser une température n'a pas, a priori, de signification physique évidente.
On se trouve ainsi préalablement amène à rechercher sur quelles bases physiques
établir un système d'évaluation des températures : c'est le problème des
échelles de température.
Du nombre
important de propriétés de la matière et de phénomènes physiques sensibles à la
température résulte une grande diversité des méthodes de mesure :
-
méthodes
optiques basées sur la répartition spectrale du rayonnement émis ou l'élargissement
de raies spectrale par l'effet Doppler du à l'agitation thermique, …
-
Méthodes
mécaniques fondées sur la dilatation d'un solide, d'un liquide ou d'un gaz à
pression constante, sur la pression d'une vapeur saturante ou sur la célérité
du son,……
-
méthodes
électriques reposant sur la variation thermique de la valeur d'une résistance
ou de son bruit de fond, sur l'effet Seebeck ou sur la sensibilité thermique de
la fréquence d'oscillation d'un quartz, …
les méthodes optiques ou
acoustiques qui s'appuient sur l'observation extérieure d'une propriété du
milieu dont on mesure la température n'apportent à celle-ci aucune perturbation
; leur domaine d'emploi est cependant limité et leur mise en œuvre d'une
certaine comlexite; les méthodes électriques basées sur l'emploi de capteurs spécifiques sont d'une grande
généralité, d'une mise en œuvre relativement simple mais l'interaction réciproque
du capteur et du milieu environnant pose souvent , lorsque la mesure doit être
précise, un délicat problème d'évaluation et de minimisation de l'écart entre
la température à mesurer et celle effectivement mesurée qui est celle du
capteur .
Thermométrie par résistance
Sensibilité thermique :
D'une façon
générale la valeur d'une résistance dépend de sa température T:
R (T) = Rо. F (T-Tо)
Rо étant la résistance à la température Tо et la
fonction F une caractéristique du matériau, égale à 1 pour T = Tо.
- pour
les métaux : R (T) = Rо (1+AT+BT² +CT³)
T étant
exprime en ºC, Tо = 0 ºC ;
- pour
les thermistances, mélanges d'oxydes semi-conducteurs :
T étant
la température absolue.
Les
coefficients de la loi de variation de R ayant été préalablement précises par
un ensemble de mesures à températures connues, la détermination de la valeur de
R permet l'en déduire sa température.
Où
αR est
le coefficient de température de la résistance ou sensibilité thermique à la température T ; αR dépend évidement de la température et
du matériau.
Ainsi
par exemple à 0 ºC :
Pour le
platine : αR= 3.9.10³ / ºC
Pour un
certain type de thermistance : αR = 5.2.10 / ºC.
Si l'on mesure la température au voisinage de 0 ºC à l'aide d'un pont de Wheatstone
dont l'une des branches est constituée par la résistance thermométrique et les
troisautre résistance thermométrique à 0 ºC, la tension de desiquilibre est:
Pour Es
=2v et ∆T = 1 ºC ,
Vm = 1.9 mv pour la résistance de platine,
Vm =26mv
pour thermistance considérée.
Ces
valeurs sont notablement supérieures à celles fournies par un thermocouple
Linéarisation :
La méthode de linéarisation la plus simple consiste à associer au capteur,
en série ou en parallèle selon le cas,
une résistance fixe Rl dite de linéarisation dont la valeur est déterminée
de façon qu'autour d'une température Ti choisie, la tension de
mesure ait une variation quasi linéaire
en fonction de T .cette quasi-linéarité correspond, en fait, à un point d'inflexion
de la courbe pour T=Ti et elle se
traduit mathématiquement par la condition :
=0 pour T=Ti
L'expression de la fonction dépend du
capteur et de son conditionneur ; on établira cependant que pour un capteur et une température Ti
donnés c'est une même valeur de la résistance
qui permet la linéarisation, indépendamment du type de conditionneur :
source de courant, montage
potentiométrique ou pont de wheatstone.
Méthode de mesure
On emploie le plus souvent l'un ou l'autre des conditionneurs de capteurs résistifs
-circuit potentiométrique à
alimentation symétrique,
-pont de Wheatstone avec
montage 3 ou 4 fils,
- alimentation par source de courant
constant.
Les deux premiers
montages peuvent être utilises aussi bien en méthode de zéro qu'en déviation :
il faut dans ce dernier cas tenir compte de leur non-linearité lorsque les
variations de la résistances thermométrique sont importa
Pour des mesures de
grand précision on emploie la méthode d'opposition : c'est une méthode de zéro
qui permet d'éliminer l'influence des fils de liaison. La résistance à mesurer
doit être à quatre fils: deux files pour le passage du courant et deux fils
pour la mesure de la tension à ses bornes. Le montage est représenté Fig.1
La résistance inconnue Rx
, en série avec la résistance
étalon Re, est parcourue par un courant I1 ; le potentiomètre de précision
P est parcouru par un courant I2 .Le galvanomètre
G n'est parcouru par aucun courant à condition que l'on ait:
Les contacteurs C1 et C2
étant respectivement fermé et ouvert:-
Rx I1 = Px
I2
Les contacteurs C1 et C2
étant respectivement ouvert et fermé:-
Re I1 = Pe
I2
Si le circuit risque d'être le siège de f.é.m .thermoélectrique
parasites on effectue deux fois les mesures précédentes pour des sens opposes
de I1 et I2 et l'on prend la moyenne des deux valeurs de
Rx ainsi déterminées.
Influence du courant de mesure
La recherche d'une bonne sensibilité de mesure
conduit à faire traverser la résistance thermométrique par un courant relativement
important.
Cependant, celui-ci risque alors de provoquer par
effet joule un échauffement du capteur qui peut cesser d'être négligeable et
qui en tous cas doit pouvoir être estime
et minimise : c'est pourquoi les courant de mesure sont généralement de l'ordre
du mA et rarement supérieurs à 10 mA.
L'échauffement du capteur par le courant i de
mesure set défini par:
ΔTc=
Tci- Tc
Où Tci
est la température du capteur parcouru par le courant i:
Et Tc la
température inconnue –qu'aurait le capteur en l'absence de courant.
La
température Tci résulte des divers apports de puissance:
Pxc=G θxc (Tx- Tci) en provenance
du milieu étudié,
Pac =G θac(Ta- Tci) échangée avec
le milieu extérieur,
PJ=Rci.i2 résultant de l'effet joule du courant
de mesure, Rci étant la résistance électrique du capteur à la température
Tci.
ΔTc= Puisque Tc =
Pour une sonde bien conçue on doit avoir :
Gθxc >> Gθac ;
Dans ces conditions l'échauffement dû au courant de
mesure est :
ΔTc=Rθxc
. Rci i2
Lorsque Rθxc est connu, la mesure de Rci
pour une valeur déterminée de i permet de calculer ΔTc et de
corriger en conséquence la courbe d'étalonnage du capteur.
Pour un courant
i=5mA, on mesure une résistance Rci=340,23Ω correspondant à
une température Tci de 680,00 ºC ; l'autoechauffement du capteur étant égale à : 0,25 ºC, la température corrigée est 683,75 ºC.
En fait la valeur de Rθxc peut être déterminée
dans des conditions expérimentales données par deux mesures de résistance pour
deux courants différents.
Soient Rci1 et Rci2 les résistances mesurées
pour les courants i1 et i2 respectivement.
On a: Tci1=Tc +Rθxc .Rci1 i12
Tc
+Rθxc
.Rci2 i22 Tci2=
Rci étant la valeur de la résistance mesure dans ce cas.
Si resist si les résistance Rci1,
Rci2, Rci sont voisines on a pratiquement
Une autre méthode d'élimination de l'influence du contrant de mesure
consiste a calculer a partir du valeurs Rci1et Rci2 obtenu pour les courant i1
et i2, la valeur Rc de la résistance du captur pour i=0. Le calcul
est mène dans l'hypothèse généralement vérifiée que l'échauffement est suffisamment
faible pour que le cœfficient thermique αR de la résistance puisse être considérée comme constant
:
Ainsi, pour le courant i1 on a:
Rc (1+α
R ∆Tc1)= RCi1
Avec ∆Tc1 =Rθxc Rci1 i12
De même pour le courant i2 on
a:
Rc (1+α
R ∆Tc2)= RCi2
Avec ∆Tc2
=Rθxc Rci2i22
On en déduit successivement:
Rci1 -RC= RC α R Rθxc Rci1i12
Rci2
-RC= RC α R Rθxc Rci2i22
En pratique la nécessité d'une correction de
l'autœchauffement de la sonde sépend de la précision de mesure recherchée
.quand l'on connaît une valeur maximale
Roxc) max de la résistance thermique dans les condition de mesure,
on peut calculer le courant maximum en dessous duquel la correction devient
nettement inférieure à l'erreur de précision admise.
Qui entraîne
Thermistances:
Caractéristiques
générale:
La propriété primordiale de ce
type de résistance est une sensibilité thermique très supérieure, de l'ordre de
10 fois, à celle des résistances métalliques ; en outre leur coefficient de température
est généralement négatif et dépend fortement de T.
Elle sont constituées à partir des mélanges d'oxydes métalliques semi-conducteurs
poly cristallins tels que:
Mg O, Mg Al2 O4, Mn2
O3, Fe3 O4, Co2O3, NiO,
ZnTiO4.
La stabilité d'une thermistance dépend
de sa réalisation et des conditions d'emploi .L'enrobage ou l'encapsulage de la
résistance la protége vis-à-vis de l'altération chimique etaccroit sa stabilité. Le domaine d'emploi des thermistances,
selon leur type, est compris entre quelques degrés absolus et environ 300 ºC; elle
peuvent être utilisées au de la de cette
limite mais avec un risque non négligeable d'évolution appréciable de leur résistance.
Théorie élémentaire
de la conductivité des thermistances :
De façon générale
la conductivité σ d'un semi-conducteur a pour expression
σ =
q(µn n +µpp)
Où µn et µp
sont respectivement la mobilité des électrons libres de densité n, et des trous,
de densité p, q étant leur charge : 1.6 .10-19 C .
Contrairement aux métaux où
l'influence de la température s'exerce de façon prédominante sur la mobilité
des électrons dont la densité demeure constante, dans le cas des semi-conducteurs
considères, c'est la densité de charges libres qui est principalement affectée
par la température.
L'agitation thermique en provoquant la
rupture de liaisons inter atomiques entraîne la libération de paires
electron-trou.Le nombre des paires
G ainsi forces, par unité de temps et de
volume est :
G= A.Ta.exp(-qEi/kT)
Où T est la température absolue du semi-conducteur, Ei l'énergie
nécessaire pour rompre une liaison, A et
a des constantes pour un matériau donnes.
Cependant un électron et un trou libers peuvent se
rocombiner et roconstituer un liaison:
le nombre R de rocombinisons par unité de temps et de volume set proportionnel
n et p de charges libres
R=r.n.p
Où r est le coefficient de
reycombinison et, puisque
n=p (génération par paires)
On a: R=r.
n2
A l'équilibre, la densité de charge
libre est constante :
G=R
N= (ATa/r) 1/2
En tenant compte de l'influence
de T sur les mobilités µn et µp la conductivité peut se mettre sous la forme :
σ = C . Tb exp(-β/T)
Ou C est une constant
caractéristique du matériau, ainsi que b dont les valeurs sont de l'ordre de
1à4 et β=qEi/2k.
RELATION R2SISTANCE TEMP2RATURE
l' expression de la conductivité σ calculée au paragraphe précédent
conduit à écrire la résistance sous la forme :
R0 étant la résistance à la température absolue T0
la sensibilité thermique déduite de la formule précédent s'écrit :
Thermométrie par
diodes et transistors :
Caractères
généraux –sensibilité thermique:
les composants utilisés ,diodes ou transistors au
silicium montes en diode (base et collecteur reliés) ,sont alimentés dans le
sens direct à courant I constant : la tension v à leurs bornes ,qui est
fonction de la température peut donc être al grandeur électrique de sortie du capteur de température qu'ils
constituent
07
la sensibilité
thermique S d'une diode ou d'un transistor monte en diode est définie par
:S=dv/dT;sa valeur est voisine de -2.5 mv/ ºC mais elle
n'est pas strictement indépendante de la température .en outre,
ensibilites
comme la tension v dépendent de courant inverse I0 : celui –ci pouvant varier
de façon importante d'un composant à l'autre, l'interchangeabilité n'est
assurée qu'en sélectionnant les composantes ayant les caractéristiques recherchées
identique (même valeur de v pour un courant donnés et même valeur de I0)
une amélioration
notable de la lineairité et de l'interchangeabilité résulte de l'emploi de deux
transistors appairés montés en diodes , parcourus par des courants constantes
I1et I2 et dont en mesure la différence des tension base –emetteur.ceci permet
d'éliminer l'influence du courant I0 . la sensibilité thermique de L'ensemble a
pour expression
Oit
numériquement :
Les valeurs de
cette sensibilité thermique sont généralement supérieures à celles des thermocouples
et il n'est pas nécessaire de disposer d'une température de référence; elle
sont cependant inférieures à celles de résistances thermométriques associées à
leur conditionneur .L' évolution des propriétés électriques aux températures extrêmes
limite le domaine d'utilisation entre -50 °C et +150 °C .dons cette plage les
capteurs ont une stabilité excellent.
Relation
tension-temperature:
Diode
ou transistor monté en diode:
Le courant I est
à la tension v par la relation classique:
I=I0
[exp (qv/kT)-1], T en k
Qui, en polarisation
directe (I>>I0) ramène
à :
I=I0.
exp (qv/kT)
Où I0=C Tm. exp (-qvΦ/kT)
vΦ
Etant la hauteur de la bande interdite exprimée en volts, soit , pour le silicium
: 1.12 volt ; m est généralement voisine de 3,
C est une
constante indépendante de T mais dépendant de la géométrie de la jonction et
des niveaux de piégeage.
Des relations précédentes
on tire la tension v:
V= vΦ
+ kT/q log I –kT/q. m log T –kT/q .log C
La constante C
et le courant I peuvent être éliminés de l'expression précédente si l'on
connaît la tension v1, pour un même courant I, mais à une
température T1:
Cette expression
qui n'est pas linéaire en température met en outre en évidence les terme qui déterminent
l'intrechangeabilite : la tension v pour T=T1 et la valeur de m
L'erreur de
lineairite entre -20 °C et 150
°C
d'un transistor MTS 102 (fabricant Motorola) est elle est
de même ordre que celle de la résistance de platine et très inférieure à celle
du thermocouple .
Des équations précédentes
on tire facilement une expression de la sensibilité thermique :
Ou, en fonction
de v :
Pour les
transistors de la série MTS, de constructeur indique une expression numérique
du coefficient moyen de température de la plage
La
tension v (T) peut dés leur s'écrire :
L'emploi
de cette relation permet de déterminer la température avec une
Incertitude de 2°C pour la série MTS 102 ,3°C pour la série MTS 103 et 5°C pour la série MTS 105.
Capteur
de température intègres :
Les
technique de la mecroelectronique permettent la fabrication en circuit intègres
de transistor appaires qui sont parfaitement adaptes à la réalisation de capteur de température basés sur la mesure
de l'évolution thermique de la différence
de leur tension vbe.ces capteurs qui délivrent un courant ou une tension proportionnels à
la température absolue, avec une
lineairité excellent ,ont comme intérêt majeur la simplicité de leur mise en
œuvre ;ils ont cependant une plage de fonctionnement limitée : -50°C à 150°C .
Exemple
de réalisation :
Capteur
AD 590(Analoge Devices).ce capteur se comporte comme une source de courant
variant linéairement en fonction de sa température absolue ; il est particulièrement
adapte a des mesure à grand distance puisque la chute de tension dans les fils
de liaison n'affecte pas le signal .
Un schéma
simplifié de sa constitution interne. Les
transistors appairés Q3 et Q4 qui ont même tension vbeont donc aussi des
courants d'émetteur de Q1 dont il détermine la tension base –émetteur
soit :
Le courant IT /2 issu de Q3 traverse Q2
qui est, en réalité, un ensemble en parallèle
de 8 transistors identiques à Q1 et donc traversés chacun par le
courant IT /16 ; leur commune tension base –émetteur est :
La différence
des tensions Vbe1 et Vbe2 apparaît aux bornes de la résistance
R parcourue par le courant IT /2:
Thermométrie
par le bruit de fond:
Principe
de la méthode :
L'agitation thermique des porteurs de
charge provoque dans une résistance R des fluctuations de tension ou de courant
qui dépendent de sa température T
et qui ont pour valeur instantanée respectivement EbR et IbR .
La valeur efficace de la tension de bruit
qui est égale à la racine carrée de la valeur quadratique moyenne de EbR
a pour expression :
Où k est
la constante de Boltzmann (1.38.10-23 j.k-1), T la température
absolue en k , et B la bande passante de l'installation de mesure .
Dans la représentation
de thevenin, cette source de tension est en série avec R ; dans la représentation
équivalente de Norton la source de
courant est en parallèle sur R et sa valeur efficace a pour expression :
La mesure de
à l'aide d'un voltmètre pour valeur efficace
permet, connaissant R et B, de déterminer T; la mesure de Pb présente
l'avantage de ne pas nécessaire la connaissance de R.
Méthode
de mesure :
Détermination de la tension de bruit par comparaison:
La résistance de mesure Rc est
portee à la température Tc inconnue ; la tension quadratique moyenne de bruit à
ses bornes est telle que :
Une résistance
variable portee à la température T1 est réglée à la valeur R1
telle que le bruit qu'elle produit soit égal au bruit de Rc; on a
alors :
4 k Tc Rc
B = 4 k T1 R1 B
Soit Tc =R1/Rc.
T1
Cette méthode
exige la détermination préalable de Rc, R1 et T1
; il faut en outre que la bande
passante soit identique dans les deux mesures ce qui s'obtient en ajustant une capacité
Cc en parallèle sur Rc de façon que l'on ait , compte
tenu de C1 , capacité en parallèle sur R1 :
Rc. Cc = R1
.C1
Détermination
de la puissance de bruit :
La puissance de bruit est déterminée en
mesurant successivement :
La valeur efficace de la tension de bruit en
circuit ouvert :
La valeur
efficace du courant de bruit en court-circuit :
Puis en
effectuant le produit des deux mesures précédentes.
Le montage de mesure est représente sur la
figure :
Des précautions doivent être prises afin
que le bruit de fond de l'installation ou les parasites extérieurs soient
maintenus à un niveau très inférieur à celui du bruit thermique de la résistance
de mesure. La précision dans la détermination de la température peut être
meilleure que 1%.
Cette méthode présente l'intérêt de n'exiger
aucune mesure préalable ; en particulier elle ne dépend pas de la valeur de R. ce
dernier point est important dans le cas de mesure à hautes températures et dans
des milieux agressifs, réacteurs nucléaires par exemple où il y a toujours un
risque d'altération des paramètres
électriques (résistance, f.é.m.) des capteurs employés.
Thermométrie
par quartz :
Une application classique du quartz est la réalisation
d'oscillateurs de très grande stabilité, thermique en particulier. A cette fin,
une solution est de donner à la lame de
quartz une orientation cristallographique qui minimise les variations
thermiques de la fréquence de l'oscillateur pilote. Par contre. dans son
utilisation en capteur de température , la lame de quartz est orientée
cristallographiquement en sorte que la fréquence de l'oscillateur soit une
fonction quasi linéaire de la température de la lame . Le capteur ainsi réalisé
est précis et sensible de fréquence met à profit :
-la très grande précision de ce type de mesure,
-l'immunité au bruit que procure le
transfert d'information par le support de la fréquence,
- La facilite de conversion sous forme numérique
d'une information liée à la fréquence.
Résonance
electromechanique su quartz :
Le cristal de quartz,
Sio2, a la forme d'un prisme, aux extrémités pyramidales et de
section droite hexagonale .
Sa structure et l'anisotropie de ses propriétés physiques peuvent être
rapportées à trois ensembles d'axes :
- L'axe optique ou axe z qui relie les
points extrêmes du cristal ; et dans tout plan perpendiculaire à l'axe z ,
- trois axes dits électriques X1,
X2 , X3 qui relient , chacun , deux sommets opposés d'une
section droite hexagonale,
- trois axes dits mécaniques Y1,
Y2, Y3 qui sont, chacun, perpendiculaire aux côtés opposés d'une
section droite.
Dans le cristal sont taillées des lames carrées,
rectangulaires ou circulaires : leurs propriétés dépendent de leur géométrie,
de leurs dimensions et de leur orientation cristallographique.
Le quartz est piézoélectrique :
Dans le
cas d'une lame dont les faces sont perpendiculaires à un axe électrique, on
observe,
L'apparition des charges de signe
contraire sur chacune des faces lorsque l'on exerce sur elle une force
perpendiculaire : c'est l'effet piézoélectrique direct;
- une variation d'épaisseur de la lame,
dilatation ou contraction, selon le signe de la différence de potentiel que
l'on applique entre ses faces : c'est l'effet piézoélectrique inverse.
Une lame peut être le siège de divers mode
des vibrations mécaniques correspondant
à différentes types de déformation : élongation, flexion ,
Cisaillement.
Les fréquences des vibrations susceptibles de s'établir sont déterminées par la géométrie, les dimensions
et l'orientation cristallographique de la lame et elles satisfont à la formule générale:
Où c est
un module d'élasticité, fonction de l'orientation,
Ρ est la densité du quartz, l est la
dimension de la lame dans la direction de propagation des vibrations, et n un nombre
entier généralement compris entre 1 et 5.
Lorsque l'on applique entre les faces de
la lame une différence de potentiel alternative dont la fréquence est égale à
celle d'un mode de vibration possible , l'effet piézoélectrique inverse entraîne
la mise en oscillation de la lame : il s'établit ainsi un phénomène de résonance
électromécanique avec transfert périodique d'énergie de la forme mécanique à
lala forme électrique et vice versa , les pertes étant très faibles le coefficient de surtension Q qui
caractérise l'acuité d'une résonance est défini par la relation :
Pour une lame de quartz, Q a des valeurs très
élevées, généralement comprise entre 104
et 105.
L'orientation
de la lame par rapport aux axes du cristal définit sa coupe, ainsi par exemple
:
- en coupe X, dite de curie, les faces de la
lame sont perpendiculaires à un axe X
; une tension alternative étant appliquée entre ses faces, la lame peut
vibrer en élongation et ses deux fréquences de résonance importantes ont pour
valeur :
e et l étant
respectivement l'épaisseur et la largeur , en mm , de la lame
- en
coupe AT, le plan des faces a tourné autour d'un axe X, et il fait un angle
voisin de 35º avec l'axe z
; la lame peut vibrer en
cisaillement d'épaisseur à des fréquences qui ont pour valeur :
f=
e étant l'épaisseur en mm et n un entier ≤ 5
- diverses autres coupes sont utilisées :
leur fréquences de vibration mécanique sont toujours inversement
proportionnelles à l'une de leurs dimensions.
Les
elctrodes qui permettant d'appliquer une différance de pententiel à la 1 ame
sont soit déposées par évaporation sous vide, soit constituées de deux
plaquettes métallique maintenue on contacte avec la lame.
Autour de l'un de ses fréquences de résonance
mécanique comme un dipôle constitué de deux branches en parallèle :
- une branche L, C, R dont les éléments ont des valeurs deteminees par
les caractéristiques géométriques, mécaniques et cristallographiques de la lame
et qui ont pour ordre de grandeur :
L : de quelques H à 104
H
C : de 10-2 à 10-1 PF
R : de quelques kΩ à
quelques disaines de kΩ
- une branche formée d'une capacité
C0 qui est la capacité associée aux electrdes métalliques et dont la
valeur est de 1 à 100 PF, le rapport C/C0 étant généralement compris
entre 10-2 et 10-3.
Ce dipôle présente deux résonances électriques :
La résonance série de la branche L, C, R à la fréquence fs :
La résonance parallèle, entre capacité C0 et branche L, C,R
inductive ,à la fréquence fp :
fp=
Ces fréquences sont très voisines
Oscillateur a quartz :
Un oscillateur sinusoïdale est constitue d'un
circuit de réaction
Soit: A, le gain de l'amplificateur, Φa étant le déphasage apporté ;
B, le taux de réaction, qui
est le rapport de signal ramené à l'entrée au signal de sortie de
l'amplificateur, Φr étant le déphasage
introduit
Le critère de Barkhausen stipule les deux conditions nécessaires à l'oscillation:
│A.B│≥1 et Φa +Φr =2п
A titre d'exemple, on examine ici un montage simple utilisant comme
amplificateur un transistor a effet de champ, fin d'expliciter dans ce cas les deux conditions
de l'oscillation.
En écrivant l'identité de la tension d'excitation Vg sur le gâte et de la tension de sortie du réseau de réaction
on a, Rg étant très supérieur à 1/C2w :
Vg
Soit
8
Dont on déduit les conditions:
G
Nécessaire au maintien de l'oscillation:
X
Quartz qui doit être inductive détermine une fréquence d'oscillation comprise
entre fs et fp
La stabilité de l'oscillateur à quatre est due aux valeurs très élevées
que prennent entre ws et wp les dérivées dxq/dw
et dΦq/dw
(Φq=arc tg (xq/Rq)).dés
lors quand la valeur d'un élément déterminant de la fréquence, autre que le
quartz, fluctue, il suffit d'un très minime décalage de fréquence pour redonner
à Xq et Φq les valeurs nécessaires au maintien de l'oscillation.
Sensibilité thermique :
Toute variation de température entraîne un changement
des dimensions de la lame, de sa densité et de ses coefficients d'élasticité,
d’où il résulte:
- une varaitiondes fréquences
de résonance mécanique : f=
- une modification des valeurs
des composantes L, C, R qui caractérisent la lame, du point de vue électrique.
On a généralement :
F (T) =
Soit
Les coefficients a,b,d dépendant de la coupe de la lame
Thermométrie par thermocouple :
Caractères généraux – sensibilité thermique :
Un thermocouple constitue
de deux conducteurs A et B formant entre eux deux jonctions aux températures T1
et T2 délivre une f.é.m. EA/B qui dépend d'une part de la nature des
conducteurs A et B et d'autre part des températures T1 et T2.
en générale la température de l'une des jonctions est fixe, connue et sert de référence
(T1 = Tref) ; celle T2 de l'autre jonction est
la température Tc qu'elle atteint lorsque placée dans le milieu
étudié de température inconnue Tx : la température Tc est
fonction de Tx et de l'ensemble des échanges thermiques possibles
avec d'autres milieux (les parois , le milieu extérieur) ainsi que cela a été
vu au la prise
d'information se faisant au niveau d'une jonction dont les dimensions peuvent être
très réduites :
- le thermocouple permet
des mesures de température ponctuelles,
- la capacité calorifique
du capteur peut être très réduite assurant une vitesse de réponse élevée.
A ces deux points de vue l'emploi du thermocouple
apparaît avantageux par rapport aux résistances thermométriques.
Un autre intérêt
thermocouple est de délivrer un signal, une f.é.m, dont la mesure ne nécessite
pas la circulation d'un courant dans le
capteur : il n'y a donc, contrairement au cas des résistance aucune
incertitude liée à l'autoécheffement ce
qui peut être appréciable dans le cas de mesure sur des système à faible
inertie thermique ou à basse température.
Cependant, et cela est un in convient du thermocouple, la mesure exiger
que la température de la jonction de référence soit connue : toute incertitude
sur Tref risque d'entraîner une incertitude du même ordre sur Tc
la f.é.m. du thermocouple est, de grands intervalles de température une
fonction non linéaire de Tc.
La non linéarité de la relation entre f.e.m.du thermocouple et température
est mise en évidence par la forme polynomiale de l'équation qui les lie.
Pour chaque type de thermocouple, une norme définit :
D'une part, une table de valeurs de la
f.é.m. E en fonction de la temporisateur T.
D'autre part une expression polynomiale qui traduit
algébriquement et en conformité avec la
table la relation entre E et T.
Ainsi pour le couple Platine -30% Rhodium/Platine -6% Rhodium,
on a entre 0 °C
et 1820°C
selon la norme NF C 42-321:
Pour d'autre thermocouple, le domaine total d'emploi
est divisé en plusieurs plages et à l'intérieur de chacune d'elles la norme
définit une expression polynomiale spécifique qui traduit la relation entre E
et T donnée par la table.
S'il n'est
pas possible de considérer la variation de la f.é.m. comme linéaire dans
domaine étendu de température cela demeure néanmoins faisable dans une plage
restreinte dont l'extension est fonction de la précision recherchée.
Les thermocouples sont utilisables selon leur type,
depuis les très basses températures:
*270°C pour le couple cuivre/or cobalt
Jusqu'à des température
très élevées:
dans ce dernier cas ils permettent de dépasser et de
beaucoup les limites
maximales d'utilisation des résistances thermométriques
(1400°C
environ).
La sensibilité
thermique d'un couple ou pouvoir thermoélectrique s, à une température Tc
est par l'expression:
S (Tc)=
Elle est fonction de la température et s'exprime en µv/°C
Pour le couple fer/constantan on a, par exemple :
S (0°C )
= 52.9 µv/°C et s (700 °C )
= 63.8 µv/°C
Alors que pour le couple pt-Rh (10%)/pt on a :
S (0 °C ) = 6.4 µv/°C et s (1400 °C ) = 11.93 µv/°C
Ces sensibilités
sont très inférieures à celle des montages utilisant des résistances thermiques.
INTRODUCTION :
de toutes les grandeurs physiques , la température est
certainement l'une de celles dont la mesure est la plus fréquente . La température
détermine en effet de façon décisive les propriétés de la matière, que ce soit
de façon continue, pression ou volume d'un gaz par exemple, ou de façon
discontinue, changements de phase ou point de curies magnétiques et ferroélectriques.
C'est pourquoi,
en recherche comme dans l'industrie, la mesure précise et le contrôle très
strict des températures sont indispensables.
Cependant,
affecter une valeur numérique à une température pose un problème de fond. En effet,
la plupart des grandeurs physiques peuvent être numériquement définies par leur
rapport à une grandeur de même nature prise pour référence. Ces grandeurs sont
dites extensives car à partir de la référence il est aise, du moins
conceptuellement, de définir des multiples ou des sous-multiples. Cela n'est
pas le cas pour la température qui est une grandeur dite intensive: multiplier
ou diviser une température n'a pas, a priori, de signification physique évidente.
On se trouve ainsi préalablement amène à rechercher sur quelles bases physiques
établir un système d'évaluation des températures : c'est le problème des
échelles de température.
Du nombre
important de propriétés de la matière et de phénomènes physiques sensibles à la
température résulte une grande diversité des méthodes de mesure :
-
méthodes
optiques basées sur la répartition spectrale du rayonnement émis ou l'élargissement
de raies spectrale par l'effet Doppler du à l'agitation thermique, …
-
Méthodes
mécaniques fondées sur la dilatation d'un solide, d'un liquide ou d'un gaz à
pression constante, sur la pression d'une vapeur saturante ou sur la célérité
du son,……
-
méthodes
électriques reposant sur la variation thermique de la valeur d'une résistance
ou de son bruit de fond, sur l'effet Seebeck ou sur la sensibilité thermique de
la fréquence d'oscillation d'un quartz, …
les méthodes optiques ou
acoustiques qui s'appuient sur l'observation extérieure d'une propriété du
milieu dont on mesure la température n'apportent à celle-ci aucune perturbation
; leur domaine d'emploi est cependant limité et leur mise en œuvre d'une
certaine comlexite; les méthodes électriques basées sur l'emploi de capteurs spécifiques sont d'une grande
généralité, d'une mise en œuvre relativement simple mais l'interaction réciproque
du capteur et du milieu environnant pose souvent , lorsque la mesure doit être
précise, un délicat problème d'évaluation et de minimisation de l'écart entre
la température à mesurer et celle effectivement mesurée qui est celle du
capteur .
Thermométrie par résistance
Sensibilité thermique :
D'une façon
générale la valeur d'une résistance dépend de sa température T:
R (T) = Rо. F (T-Tо)
Rо étant la résistance à la température Tо et la
fonction F une caractéristique du matériau, égale à 1 pour T = Tо.
- pour
les métaux : R (T) = Rо (1+AT+BT² +CT³)
T étant
exprime en ºC, Tо = 0 ºC ;
- pour
les thermistances, mélanges d'oxydes semi-conducteurs :
T étant
la température absolue.
Les
coefficients de la loi de variation de R ayant été préalablement précises par
un ensemble de mesures à températures connues, la détermination de la valeur de
R permet l'en déduire sa température.
Où
αR est
le coefficient de température de la résistance ou sensibilité thermique à la température T ; αR dépend évidement de la température et
du matériau.
Ainsi
par exemple à 0 ºC :
Pour le
platine : αR= 3.9.10³ / ºC
Pour un
certain type de thermistance : αR = 5.2.10 / ºC.
Si l'on mesure la température au voisinage de 0 ºC à l'aide d'un pont de Wheatstone
dont l'une des branches est constituée par la résistance thermométrique et les
troisautre résistance thermométrique à 0 ºC, la tension de desiquilibre est:
Pour Es
=2v et ∆T = 1 ºC ,
Vm = 1.9 mv pour la résistance de platine,
Vm =26mv
pour thermistance considérée.
Ces
valeurs sont notablement supérieures à celles fournies par un thermocouple
Linéarisation :
La méthode de linéarisation la plus simple consiste à associer au capteur,
en série ou en parallèle selon le cas,
une résistance fixe Rl dite de linéarisation dont la valeur est déterminée
de façon qu'autour d'une température Ti choisie, la tension de
mesure ait une variation quasi linéaire
en fonction de T .cette quasi-linéarité correspond, en fait, à un point d'inflexion
de la courbe pour T=Ti et elle se
traduit mathématiquement par la condition :
=0 pour T=Ti
L'expression de la fonction dépend du
capteur et de son conditionneur ; on établira cependant que pour un capteur et une température Ti
donnés c'est une même valeur de la résistance
qui permet la linéarisation, indépendamment du type de conditionneur :
source de courant, montage
potentiométrique ou pont de wheatstone.
Méthode de mesure
On emploie le plus souvent l'un ou l'autre des conditionneurs de capteurs résistifs
-circuit potentiométrique à
alimentation symétrique,
-pont de Wheatstone avec
montage 3 ou 4 fils,
- alimentation par source de courant
constant.
Les deux premiers
montages peuvent être utilises aussi bien en méthode de zéro qu'en déviation :
il faut dans ce dernier cas tenir compte de leur non-linearité lorsque les
variations de la résistances thermométrique sont importa
Pour des mesures de
grand précision on emploie la méthode d'opposition : c'est une méthode de zéro
qui permet d'éliminer l'influence des fils de liaison. La résistance à mesurer
doit être à quatre fils: deux files pour le passage du courant et deux fils
pour la mesure de la tension à ses bornes. Le montage est représenté Fig.1
La résistance inconnue Rx
, en série avec la résistance
étalon Re, est parcourue par un courant I1 ; le potentiomètre de précision
P est parcouru par un courant I2 .Le galvanomètre
G n'est parcouru par aucun courant à condition que l'on ait:
Les contacteurs C1 et C2
étant respectivement fermé et ouvert:-
Rx I1 = Px
I2
Les contacteurs C1 et C2
étant respectivement ouvert et fermé:-
Re I1 = Pe
I2
Si le circuit risque d'être le siège de f.é.m .thermoélectrique
parasites on effectue deux fois les mesures précédentes pour des sens opposes
de I1 et I2 et l'on prend la moyenne des deux valeurs de
Rx ainsi déterminées.
Influence du courant de mesure
La recherche d'une bonne sensibilité de mesure
conduit à faire traverser la résistance thermométrique par un courant relativement
important.
Cependant, celui-ci risque alors de provoquer par
effet joule un échauffement du capteur qui peut cesser d'être négligeable et
qui en tous cas doit pouvoir être estime
et minimise : c'est pourquoi les courant de mesure sont généralement de l'ordre
du mA et rarement supérieurs à 10 mA.
L'échauffement du capteur par le courant i de
mesure set défini par:
ΔTc=
Tci- Tc
Où Tci
est la température du capteur parcouru par le courant i:
Et Tc la
température inconnue –qu'aurait le capteur en l'absence de courant.
La
température Tci résulte des divers apports de puissance:
Pxc=G θxc (Tx- Tci) en provenance
du milieu étudié,
Pac =G θac(Ta- Tci) échangée avec
le milieu extérieur,
PJ=Rci.i2 résultant de l'effet joule du courant
de mesure, Rci étant la résistance électrique du capteur à la température
Tci.
ΔTc= Puisque Tc =
Pour une sonde bien conçue on doit avoir :
Gθxc >> Gθac ;
Dans ces conditions l'échauffement dû au courant de
mesure est :
ΔTc=Rθxc
. Rci i2
Lorsque Rθxc est connu, la mesure de Rci
pour une valeur déterminée de i permet de calculer ΔTc et de
corriger en conséquence la courbe d'étalonnage du capteur.
Pour un courant
i=5mA, on mesure une résistance Rci=340,23Ω correspondant à
une température Tci de 680,00 ºC ; l'autoechauffement du capteur étant égale à : 0,25 ºC, la température corrigée est 683,75 ºC.
En fait la valeur de Rθxc peut être déterminée
dans des conditions expérimentales données par deux mesures de résistance pour
deux courants différents.
Soient Rci1 et Rci2 les résistances mesurées
pour les courants i1 et i2 respectivement.
On a: Tci1=Tc +Rθxc .Rci1 i12
Tc
+Rθxc
.Rci2 i22 Tci2=
Rci étant la valeur de la résistance mesure dans ce cas.
Si resist si les résistance Rci1,
Rci2, Rci sont voisines on a pratiquement
Une autre méthode d'élimination de l'influence du contrant de mesure
consiste a calculer a partir du valeurs Rci1et Rci2 obtenu pour les courant i1
et i2, la valeur Rc de la résistance du captur pour i=0. Le calcul
est mène dans l'hypothèse généralement vérifiée que l'échauffement est suffisamment
faible pour que le cœfficient thermique αR de la résistance puisse être considérée comme constant
:
Ainsi, pour le courant i1 on a:
Rc (1+α
R ∆Tc1)= RCi1
Avec ∆Tc1 =Rθxc Rci1 i12
De même pour le courant i2 on
a:
Rc (1+α
R ∆Tc2)= RCi2
Avec ∆Tc2
=Rθxc Rci2i22
On en déduit successivement:
Rci1 -RC= RC α R Rθxc Rci1i12
Rci2
-RC= RC α R Rθxc Rci2i22
En pratique la nécessité d'une correction de
l'autœchauffement de la sonde sépend de la précision de mesure recherchée
.quand l'on connaît une valeur maximale
Roxc) max de la résistance thermique dans les condition de mesure,
on peut calculer le courant maximum en dessous duquel la correction devient
nettement inférieure à l'erreur de précision admise.
Qui entraîne
Thermistances:
Caractéristiques
générale:
La propriété primordiale de ce
type de résistance est une sensibilité thermique très supérieure, de l'ordre de
10 fois, à celle des résistances métalliques ; en outre leur coefficient de température
est généralement négatif et dépend fortement de T.
Elle sont constituées à partir des mélanges d'oxydes métalliques semi-conducteurs
poly cristallins tels que:
Mg O, Mg Al2 O4, Mn2
O3, Fe3 O4, Co2O3, NiO,
ZnTiO4.
La stabilité d'une thermistance dépend
de sa réalisation et des conditions d'emploi .L'enrobage ou l'encapsulage de la
résistance la protége vis-à-vis de l'altération chimique etaccroit sa stabilité. Le domaine d'emploi des thermistances,
selon leur type, est compris entre quelques degrés absolus et environ 300 ºC; elle
peuvent être utilisées au de la de cette
limite mais avec un risque non négligeable d'évolution appréciable de leur résistance.
Théorie élémentaire
de la conductivité des thermistances :
De façon générale
la conductivité σ d'un semi-conducteur a pour expression
σ =
q(µn n +µpp)
Où µn et µp
sont respectivement la mobilité des électrons libres de densité n, et des trous,
de densité p, q étant leur charge : 1.6 .10-19 C .
Contrairement aux métaux où
l'influence de la température s'exerce de façon prédominante sur la mobilité
des électrons dont la densité demeure constante, dans le cas des semi-conducteurs
considères, c'est la densité de charges libres qui est principalement affectée
par la température.
L'agitation thermique en provoquant la
rupture de liaisons inter atomiques entraîne la libération de paires
electron-trou.Le nombre des paires
G ainsi forces, par unité de temps et de
volume est :
G= A.Ta.exp(-qEi/kT)
Où T est la température absolue du semi-conducteur, Ei l'énergie
nécessaire pour rompre une liaison, A et
a des constantes pour un matériau donnes.
Cependant un électron et un trou libers peuvent se
rocombiner et roconstituer un liaison:
le nombre R de rocombinisons par unité de temps et de volume set proportionnel
n et p de charges libres
R=r.n.p
Où r est le coefficient de
reycombinison et, puisque
n=p (génération par paires)
On a: R=r.
n2
A l'équilibre, la densité de charge
libre est constante :
G=R
N= (ATa/r) 1/2
En tenant compte de l'influence
de T sur les mobilités µn et µp la conductivité peut se mettre sous la forme :
σ = C . Tb exp(-β/T)
Ou C est une constant
caractéristique du matériau, ainsi que b dont les valeurs sont de l'ordre de
1à4 et β=qEi/2k.
RELATION R2SISTANCE TEMP2RATURE
l' expression de la conductivité σ calculée au paragraphe précédent
conduit à écrire la résistance sous la forme :
R0 étant la résistance à la température absolue T0
la sensibilité thermique déduite de la formule précédent s'écrit :
Thermométrie par
diodes et transistors :
Caractères
généraux –sensibilité thermique:
les composants utilisés ,diodes ou transistors au
silicium montes en diode (base et collecteur reliés) ,sont alimentés dans le
sens direct à courant I constant : la tension v à leurs bornes ,qui est
fonction de la température peut donc être al grandeur électrique de sortie du capteur de température qu'ils
constituent
07
la sensibilité
thermique S d'une diode ou d'un transistor monte en diode est définie par
:S=dv/dT;sa valeur est voisine de -2.5 mv/ ºC mais elle
n'est pas strictement indépendante de la température .en outre,
ensibilites
comme la tension v dépendent de courant inverse I0 : celui –ci pouvant varier
de façon importante d'un composant à l'autre, l'interchangeabilité n'est
assurée qu'en sélectionnant les composantes ayant les caractéristiques recherchées
identique (même valeur de v pour un courant donnés et même valeur de I0)
une amélioration
notable de la lineairité et de l'interchangeabilité résulte de l'emploi de deux
transistors appairés montés en diodes , parcourus par des courants constantes
I1et I2 et dont en mesure la différence des tension base –emetteur.ceci permet
d'éliminer l'influence du courant I0 . la sensibilité thermique de L'ensemble a
pour expression
Oit
numériquement :
Les valeurs de
cette sensibilité thermique sont généralement supérieures à celles des thermocouples
et il n'est pas nécessaire de disposer d'une température de référence; elle
sont cependant inférieures à celles de résistances thermométriques associées à
leur conditionneur .L' évolution des propriétés électriques aux températures extrêmes
limite le domaine d'utilisation entre -50 °C et +150 °C .dons cette plage les
capteurs ont une stabilité excellent.
Relation
tension-temperature:
Diode
ou transistor monté en diode:
Le courant I est
à la tension v par la relation classique:
I=I0
[exp (qv/kT)-1], T en k
Qui, en polarisation
directe (I>>I0) ramène
à :
I=I0.
exp (qv/kT)
Où I0=C Tm. exp (-qvΦ/kT)
vΦ
Etant la hauteur de la bande interdite exprimée en volts, soit , pour le silicium
: 1.12 volt ; m est généralement voisine de 3,
C est une
constante indépendante de T mais dépendant de la géométrie de la jonction et
des niveaux de piégeage.
Des relations précédentes
on tire la tension v:
V= vΦ
+ kT/q log I –kT/q. m log T –kT/q .log C
La constante C
et le courant I peuvent être éliminés de l'expression précédente si l'on
connaît la tension v1, pour un même courant I, mais à une
température T1:
Cette expression
qui n'est pas linéaire en température met en outre en évidence les terme qui déterminent
l'intrechangeabilite : la tension v pour T=T1 et la valeur de m
L'erreur de
lineairite entre -20 °C et 150
°C
d'un transistor MTS 102 (fabricant Motorola) est elle est
de même ordre que celle de la résistance de platine et très inférieure à celle
du thermocouple .
Des équations précédentes
on tire facilement une expression de la sensibilité thermique :
Ou, en fonction
de v :
Pour les
transistors de la série MTS, de constructeur indique une expression numérique
du coefficient moyen de température de la plage
La
tension v (T) peut dés leur s'écrire :
L'emploi
de cette relation permet de déterminer la température avec une
Incertitude de 2°C pour la série MTS 102 ,3°C pour la série MTS 103 et 5°C pour la série MTS 105.
Capteur
de température intègres :
Les
technique de la mecroelectronique permettent la fabrication en circuit intègres
de transistor appaires qui sont parfaitement adaptes à la réalisation de capteur de température basés sur la mesure
de l'évolution thermique de la différence
de leur tension vbe.ces capteurs qui délivrent un courant ou une tension proportionnels à
la température absolue, avec une
lineairité excellent ,ont comme intérêt majeur la simplicité de leur mise en
œuvre ;ils ont cependant une plage de fonctionnement limitée : -50°C à 150°C .
Exemple
de réalisation :
Capteur
AD 590(Analoge Devices).ce capteur se comporte comme une source de courant
variant linéairement en fonction de sa température absolue ; il est particulièrement
adapte a des mesure à grand distance puisque la chute de tension dans les fils
de liaison n'affecte pas le signal .
Un schéma
simplifié de sa constitution interne. Les
transistors appairés Q3 et Q4 qui ont même tension vbeont donc aussi des
courants d'émetteur de Q1 dont il détermine la tension base –émetteur
soit :
Le courant IT /2 issu de Q3 traverse Q2
qui est, en réalité, un ensemble en parallèle
de 8 transistors identiques à Q1 et donc traversés chacun par le
courant IT /16 ; leur commune tension base –émetteur est :
La différence
des tensions Vbe1 et Vbe2 apparaît aux bornes de la résistance
R parcourue par le courant IT /2:
Thermométrie
par le bruit de fond:
Principe
de la méthode :
L'agitation thermique des porteurs de
charge provoque dans une résistance R des fluctuations de tension ou de courant
qui dépendent de sa température T
et qui ont pour valeur instantanée respectivement EbR et IbR .
La valeur efficace de la tension de bruit
qui est égale à la racine carrée de la valeur quadratique moyenne de EbR
a pour expression :
Où k est
la constante de Boltzmann (1.38.10-23 j.k-1), T la température
absolue en k , et B la bande passante de l'installation de mesure .
Dans la représentation
de thevenin, cette source de tension est en série avec R ; dans la représentation
équivalente de Norton la source de
courant est en parallèle sur R et sa valeur efficace a pour expression :
La mesure de
à l'aide d'un voltmètre pour valeur efficace
permet, connaissant R et B, de déterminer T; la mesure de Pb présente
l'avantage de ne pas nécessaire la connaissance de R.
Méthode
de mesure :
Détermination de la tension de bruit par comparaison:
La résistance de mesure Rc est
portee à la température Tc inconnue ; la tension quadratique moyenne de bruit à
ses bornes est telle que :
Une résistance
variable portee à la température T1 est réglée à la valeur R1
telle que le bruit qu'elle produit soit égal au bruit de Rc; on a
alors :
4 k Tc Rc
B = 4 k T1 R1 B
Soit Tc =R1/Rc.
T1
Cette méthode
exige la détermination préalable de Rc, R1 et T1
; il faut en outre que la bande
passante soit identique dans les deux mesures ce qui s'obtient en ajustant une capacité
Cc en parallèle sur Rc de façon que l'on ait , compte
tenu de C1 , capacité en parallèle sur R1 :
Rc. Cc = R1
.C1
Détermination
de la puissance de bruit :
La puissance de bruit est déterminée en
mesurant successivement :
La valeur efficace de la tension de bruit en
circuit ouvert :
La valeur
efficace du courant de bruit en court-circuit :
Puis en
effectuant le produit des deux mesures précédentes.
Le montage de mesure est représente sur la
figure :
Des précautions doivent être prises afin
que le bruit de fond de l'installation ou les parasites extérieurs soient
maintenus à un niveau très inférieur à celui du bruit thermique de la résistance
de mesure. La précision dans la détermination de la température peut être
meilleure que 1%.
Cette méthode présente l'intérêt de n'exiger
aucune mesure préalable ; en particulier elle ne dépend pas de la valeur de R. ce
dernier point est important dans le cas de mesure à hautes températures et dans
des milieux agressifs, réacteurs nucléaires par exemple où il y a toujours un
risque d'altération des paramètres
électriques (résistance, f.é.m.) des capteurs employés.
Thermométrie
par quartz :
Une application classique du quartz est la réalisation
d'oscillateurs de très grande stabilité, thermique en particulier. A cette fin,
une solution est de donner à la lame de
quartz une orientation cristallographique qui minimise les variations
thermiques de la fréquence de l'oscillateur pilote. Par contre. dans son
utilisation en capteur de température , la lame de quartz est orientée
cristallographiquement en sorte que la fréquence de l'oscillateur soit une
fonction quasi linéaire de la température de la lame . Le capteur ainsi réalisé
est précis et sensible de fréquence met à profit :
-la très grande précision de ce type de mesure,
-l'immunité au bruit que procure le
transfert d'information par le support de la fréquence,
- La facilite de conversion sous forme numérique
d'une information liée à la fréquence.
Résonance
electromechanique su quartz :
Le cristal de quartz,
Sio2, a la forme d'un prisme, aux extrémités pyramidales et de
section droite hexagonale .
Sa structure et l'anisotropie de ses propriétés physiques peuvent être
rapportées à trois ensembles d'axes :
- L'axe optique ou axe z qui relie les
points extrêmes du cristal ; et dans tout plan perpendiculaire à l'axe z ,
- trois axes dits électriques X1,
X2 , X3 qui relient , chacun , deux sommets opposés d'une
section droite hexagonale,
- trois axes dits mécaniques Y1,
Y2, Y3 qui sont, chacun, perpendiculaire aux côtés opposés d'une
section droite.
Dans le cristal sont taillées des lames carrées,
rectangulaires ou circulaires : leurs propriétés dépendent de leur géométrie,
de leurs dimensions et de leur orientation cristallographique.
Le quartz est piézoélectrique :
Dans le
cas d'une lame dont les faces sont perpendiculaires à un axe électrique, on
observe,
L'apparition des charges de signe
contraire sur chacune des faces lorsque l'on exerce sur elle une force
perpendiculaire : c'est l'effet piézoélectrique direct;
- une variation d'épaisseur de la lame,
dilatation ou contraction, selon le signe de la différence de potentiel que
l'on applique entre ses faces : c'est l'effet piézoélectrique inverse.
Une lame peut être le siège de divers mode
des vibrations mécaniques correspondant
à différentes types de déformation : élongation, flexion ,
Cisaillement.
Les fréquences des vibrations susceptibles de s'établir sont déterminées par la géométrie, les dimensions
et l'orientation cristallographique de la lame et elles satisfont à la formule générale:
Où c est
un module d'élasticité, fonction de l'orientation,
Ρ est la densité du quartz, l est la
dimension de la lame dans la direction de propagation des vibrations, et n un nombre
entier généralement compris entre 1 et 5.
Lorsque l'on applique entre les faces de
la lame une différence de potentiel alternative dont la fréquence est égale à
celle d'un mode de vibration possible , l'effet piézoélectrique inverse entraîne
la mise en oscillation de la lame : il s'établit ainsi un phénomène de résonance
électromécanique avec transfert périodique d'énergie de la forme mécanique à
lala forme électrique et vice versa , les pertes étant très faibles le coefficient de surtension Q qui
caractérise l'acuité d'une résonance est défini par la relation :
Pour une lame de quartz, Q a des valeurs très
élevées, généralement comprise entre 104
et 105.
L'orientation
de la lame par rapport aux axes du cristal définit sa coupe, ainsi par exemple
:
- en coupe X, dite de curie, les faces de la
lame sont perpendiculaires à un axe X
; une tension alternative étant appliquée entre ses faces, la lame peut
vibrer en élongation et ses deux fréquences de résonance importantes ont pour
valeur :
e et l étant
respectivement l'épaisseur et la largeur , en mm , de la lame
- en
coupe AT, le plan des faces a tourné autour d'un axe X, et il fait un angle
voisin de 35º avec l'axe z
; la lame peut vibrer en
cisaillement d'épaisseur à des fréquences qui ont pour valeur :
f=
e étant l'épaisseur en mm et n un entier ≤ 5
- diverses autres coupes sont utilisées :
leur fréquences de vibration mécanique sont toujours inversement
proportionnelles à l'une de leurs dimensions.
Les
elctrodes qui permettant d'appliquer une différance de pententiel à la 1 ame
sont soit déposées par évaporation sous vide, soit constituées de deux
plaquettes métallique maintenue on contacte avec la lame.
Autour de l'un de ses fréquences de résonance
mécanique comme un dipôle constitué de deux branches en parallèle :
- une branche L, C, R dont les éléments ont des valeurs deteminees par
les caractéristiques géométriques, mécaniques et cristallographiques de la lame
et qui ont pour ordre de grandeur :
L : de quelques H à 104
H
C : de 10-2 à 10-1 PF
R : de quelques kΩ à
quelques disaines de kΩ
- une branche formée d'une capacité
C0 qui est la capacité associée aux electrdes métalliques et dont la
valeur est de 1 à 100 PF, le rapport C/C0 étant généralement compris
entre 10-2 et 10-3.
Ce dipôle présente deux résonances électriques :
La résonance série de la branche L, C, R à la fréquence fs :
La résonance parallèle, entre capacité C0 et branche L, C,R
inductive ,à la fréquence fp :
fp=
Ces fréquences sont très voisines
Oscillateur a quartz :
Un oscillateur sinusoïdale est constitue d'un
circuit de réaction
Soit: A, le gain de l'amplificateur, Φa étant le déphasage apporté ;
B, le taux de réaction, qui
est le rapport de signal ramené à l'entrée au signal de sortie de
l'amplificateur, Φr étant le déphasage
introduit
Le critère de Barkhausen stipule les deux conditions nécessaires à l'oscillation:
│A.B│≥1 et Φa +Φr =2п
A titre d'exemple, on examine ici un montage simple utilisant comme
amplificateur un transistor a effet de champ, fin d'expliciter dans ce cas les deux conditions
de l'oscillation.
En écrivant l'identité de la tension d'excitation Vg sur le gâte et de la tension de sortie du réseau de réaction
on a, Rg étant très supérieur à 1/C2w :
Vg
Soit
8
Dont on déduit les conditions:
G
Nécessaire au maintien de l'oscillation:
X
Quartz qui doit être inductive détermine une fréquence d'oscillation comprise
entre fs et fp
La stabilité de l'oscillateur à quatre est due aux valeurs très élevées
que prennent entre ws et wp les dérivées dxq/dw
et dΦq/dw
(Φq=arc tg (xq/Rq)).dés
lors quand la valeur d'un élément déterminant de la fréquence, autre que le
quartz, fluctue, il suffit d'un très minime décalage de fréquence pour redonner
à Xq et Φq les valeurs nécessaires au maintien de l'oscillation.
Sensibilité thermique :
Toute variation de température entraîne un changement
des dimensions de la lame, de sa densité et de ses coefficients d'élasticité,
d’où il résulte:
- une varaitiondes fréquences
de résonance mécanique : f=
- une modification des valeurs
des composantes L, C, R qui caractérisent la lame, du point de vue électrique.
On a généralement :
F (T) =
Soit
Les coefficients a,b,d dépendant de la coupe de la lame
Thermométrie par thermocouple :
Caractères généraux – sensibilité thermique :
Un thermocouple constitue
de deux conducteurs A et B formant entre eux deux jonctions aux températures T1
et T2 délivre une f.é.m. EA/B qui dépend d'une part de la nature des
conducteurs A et B et d'autre part des températures T1 et T2.
en générale la température de l'une des jonctions est fixe, connue et sert de référence
(T1 = Tref) ; celle T2 de l'autre jonction est
la température Tc qu'elle atteint lorsque placée dans le milieu
étudié de température inconnue Tx : la température Tc est
fonction de Tx et de l'ensemble des échanges thermiques possibles
avec d'autres milieux (les parois , le milieu extérieur) ainsi que cela a été
vu au la prise
d'information se faisant au niveau d'une jonction dont les dimensions peuvent être
très réduites :
- le thermocouple permet
des mesures de température ponctuelles,
- la capacité calorifique
du capteur peut être très réduite assurant une vitesse de réponse élevée.
A ces deux points de vue l'emploi du thermocouple
apparaît avantageux par rapport aux résistances thermométriques.
Un autre intérêt
thermocouple est de délivrer un signal, une f.é.m, dont la mesure ne nécessite
pas la circulation d'un courant dans le
capteur : il n'y a donc, contrairement au cas des résistance aucune
incertitude liée à l'autoécheffement ce
qui peut être appréciable dans le cas de mesure sur des système à faible
inertie thermique ou à basse température.
Cependant, et cela est un in convient du thermocouple, la mesure exiger
que la température de la jonction de référence soit connue : toute incertitude
sur Tref risque d'entraîner une incertitude du même ordre sur Tc
la f.é.m. du thermocouple est, de grands intervalles de température une
fonction non linéaire de Tc.
La non linéarité de la relation entre f.e.m.du thermocouple et température
est mise en évidence par la forme polynomiale de l'équation qui les lie.
Pour chaque type de thermocouple, une norme définit :
D'une part, une table de valeurs de la
f.é.m. E en fonction de la temporisateur T.
D'autre part une expression polynomiale qui traduit
algébriquement et en conformité avec la
table la relation entre E et T.
Ainsi pour le couple Platine -30% Rhodium/Platine -6% Rhodium,
on a entre 0 °C
et 1820°C
selon la norme NF C 42-321:
Pour d'autre thermocouple, le domaine total d'emploi
est divisé en plusieurs plages et à l'intérieur de chacune d'elles la norme
définit une expression polynomiale spécifique qui traduit la relation entre E
et T donnée par la table.
S'il n'est
pas possible de considérer la variation de la f.é.m. comme linéaire dans
domaine étendu de température cela demeure néanmoins faisable dans une plage
restreinte dont l'extension est fonction de la précision recherchée.
Les thermocouples sont utilisables selon leur type,
depuis les très basses températures:
*270°C pour le couple cuivre/or cobalt
Jusqu'à des température
très élevées:
dans ce dernier cas ils permettent de dépasser et de
beaucoup les limites
maximales d'utilisation des résistances thermométriques
(1400°C
environ).
La sensibilité
thermique d'un couple ou pouvoir thermoélectrique s, à une température Tc
est par l'expression:
S (Tc)=
Elle est fonction de la température et s'exprime en µv/°C
Pour le couple fer/constantan on a, par exemple :
S (0°C )
= 52.9 µv/°C et s (700 °C )
= 63.8 µv/°C
Alors que pour le couple pt-Rh (10%)/pt on a :
S (0 °C ) = 6.4 µv/°C et s (1400 °C ) = 11.93 µv/°C
Ces sensibilités
sont très inférieures à celle des montages utilisant des résistances thermiques.
A suiver:
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